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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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