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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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