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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(嫦娥二号拍到外星人已经证实huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron嫦娥二号拍到外星人已经证实）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓嫦娥二号拍到外星人已经证实(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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