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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设迪卡侬属于什么档次，迪卡侬哪个国家的牌子施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙迪卡侬属于什么档次，迪卡侬哪个国家的牌子第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报迪卡侬属于什么档次，迪卡侬哪个国家的牌子显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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