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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公韵母带ao的字有哪些，带韵母ao的字有哪些字 #ff0000; line-height: 24px;'>韵母带ao的字有哪些，带韵母ao的字有哪些字(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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