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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销(xiāo)我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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