大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(其远而无所至极邪的邪怎么读音，卯怎么其远而无所至极邪的邪怎么读音，卯怎么读音读音quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，其远而无所至极邪的邪怎么读音，卯怎么读音如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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