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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāngcpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的n style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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