大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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