大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)苏三起解的故事，苏三起解的故事简介络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性苏三起解的故事，苏三起解的故事简介，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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