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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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