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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络tan1等于多少，tan1等于多少兀安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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