大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)广西大学唐纪良主任科员，广西大学唐记良场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受广西大学唐纪良主任科员，广西大学唐记良到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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