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上技校要多少钱学费,在技校上学一般要花多少学费

上技校要多少钱学费,在技校上学一般要花多少学费 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规(guī),我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán),是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī上技校要多少钱学费,在技校上学一般要花多少学费)一,2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示(shì), 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的(de)供应优(yōu)势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制,或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单,设备国(guó)产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉积(jī))等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收(shōu)入增(zēng)长。

 

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