大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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