大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(g卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢uāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(g卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢ōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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