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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施一般手机电池多少毫安 4000毫安电池算大吗(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及一般手机电池多少毫安 4000毫安电池算大吗存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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