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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查电动仙女棒是什么东西，仙女棒是用来干嘛的ong>

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键电动仙女棒是什么东西，仙女棒是用来干嘛的(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。