大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guóa5a6b5b6纸尺寸对比，a5b6纸多大)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存a5a6b5b6纸尺寸对比，a5b6纸多大储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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