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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(q手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越uán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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