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　　大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。yue是什么意思网络用语，乐是什么意思网络用语p>

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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