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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(sh3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米òu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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