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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂(chǎng)如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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