大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)别急老师今天晚上是你的人，别急老师今天晚上就是你的了不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(c别急老师今天晚上是你的人，别急老师今天晚上就是你的了hǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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