大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(自相矛盾选自哪本书作者是谁，自相矛盾选自哪本书作者是谁时期rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺自相矛盾选自哪本书作者是谁，自相矛盾选自哪本书作者是谁时期步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 自相矛盾选自哪本书作者是谁，自相矛盾选自哪本书作者是谁时期