大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún发现白蚁找哪个部门，白蚁防治是国家免费的)储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商发现白蚁找哪个部门，白蚁防治是国家免费的为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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