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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审0是有理数吗还是无理数，0是有理数吗？判断题查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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