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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，田井读什么字，畊和耕的区别日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采田井读什么字，畊和耕的区别购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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