大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已非常漂亮英文怎么写单词，非常漂亮英文怎么写怎么读经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 非常漂亮英文怎么写单词，非常漂亮英文怎么写怎么读SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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