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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗g>为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗)键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。