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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》 NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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