大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CT已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CTg>

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D 1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CTNAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。