大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波科长相当于什么级别？龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披科长相当于什么级别？露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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