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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)公元1世纪是哪一年到哪一年，公元1世纪是什么年代全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，公元1世纪是哪一年到哪一年，公元1世纪是什么年代江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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