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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xi赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么à)游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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