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胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

  据网(wǎng)信(xìn)办消息,日(rì)前,网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn),对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán),防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就分(fēn)析,如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān),设备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng),以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

 

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