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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén乌克兰已经牺牲了多少人，乌克兰已阵亡了多少人)称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国乌克兰已经牺牲了多少人，乌克兰已阵亡了多少人外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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