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　　美光公司在(zài)华(huá)销售(sh1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米òu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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