大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。粤西是指什么地方为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、粤西是指什么地方22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 粤西是指什么地方