大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)夷洲今是何地，夷洲是哪里安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三(sān夷洲今是何地，夷洲是哪里)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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