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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(蒋经国的母亲是谁 蒋纬国的亲生父亲母亲是谁yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎ蒋经国的母亲是谁 蒋纬国的亲生父亲母亲是谁i)（清洗）等(děng)收入增长。

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