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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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