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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，安定区属于哪个省哪个市的，安定区属于哪里也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆安定区属于哪个省哪个市的，安定区属于哪里原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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