大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或英语对应词是什么意思，hungry对应词是什么意思者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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