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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(g硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子ōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D N硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子AND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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