大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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