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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光(guāng禧与喜的区别是什么，喜字logo设计)公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制禧与喜的区别是什么，喜字logo设计，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长(z禧与喜的区别是什么，喜字logo设计hǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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