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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)吃完布洛芬不能吃什么，吃完布洛芬不可以吃的东西照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩吃完布洛芬不能吃什么，吃完布洛芬不可以吃的东西(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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