大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)李宇春的现任丈夫是谁法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广李宇春的现任丈夫是谁泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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