大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ罗锅上山是什么意思，罗锅上山样子图片)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，罗锅上山是什么意思，罗锅上山样子图片或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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